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IGBT的工作原理和工作特性

  • 发布时间:2020-01-13
  • 发布者: 本站
  • 来源: 本站
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  IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。
  当MOSFET的沟道形成后,从P基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
  IGBT的工作特性包括静态和动态两类:
  1.静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
  IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。如果无N缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT的某些应用范围。
  IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流限制,其值一般取为15V左右。
  IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on)可用下式表示
  Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh(2-14)
  式中Uj1——JI结的正向电压,其值为0.7~IV;
  Udr——扩展电阻Rdr上的压降;
  Roh——沟道电阻。
  通态电流Ids可用下式表示:
  Ids=(1Bpnp)Imos(2-15)
  式中Imos——流过MOSFET的电流。
  由于N区存在电导调制效应,所以IGBT的通态压降小,耐压1000V的IGBT通态压降为2~3V。
  IGBT处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
  2.动态特性IGBT在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET来运行的,只是在漏源电压Uds下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成,如图2-58所示
  IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图2-59中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间
  t(off)=td(off)trv十t(f)(2-16)
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